【摘 要】
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德州仪器推出一款面向绝缘栅双极型晶体管（IGBT）与MOSFET的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快约40%。该ISO5500的输入TTL逻辑与输出功率级通过电容二氧化硅（SiO_2）
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德州仪器推出一款面向绝缘栅双极型晶体管（IGBT）与MOSFET的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快约40%。该ISO5500的输入TTL逻辑与输出功率级通过电容二氧化硅（SiO_2）隔离层隔开,与其光耦合器及磁性隔离器相比,可将器件使用寿命延长1倍。该器件与隔离电源配合使用时,可阻隔高压、隔离接地、避免噪声电流进入本地接地,干扰或损坏敏感电路系统,从而提高电子产品的安全性与可靠性。
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