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介绍了非对称性势垒单电子管（ATBs）的电路模拟和特性，以及采用准经典的Monte Carlo方法对Ge／Si复合纳米结构MOSFET存储器的电路模拟，得出由于台阶状复合势垒的作用，在擦写时间保持μs和雌量级的同时，存储时间可长达数年．从而解决了快速编程与长久存储之间的矛盾．
非对称性隧穿势垒Ge／Si复合纳米结构MOSFET存储特性的电路模拟
【摘 要】
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介绍了非对称性势垒单电子管（ATBs）的电路模拟和特性，以及采用准经典的Monte Carlo方法对Ge／Si复合纳米结构MOSFET存储器的电路模拟，得出由于台阶状复合势垒的作用，在擦写时间保持
【机 构】
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湖南大学应用物理系,永州职业技术学院
【出 处】
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湖南工程学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2006年1期
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