单电子存储器相关论文
单电子器件是依据量子隧穿和库仑阻塞两种现象之间的竞争工作的。它主要包括单电子晶体管和单电子存储器。单电子晶体管具有极小的......
单电子存储器是依据库仑阻塞原理操纵单个电子进行信息存储的一种量子器件。它具有低功耗、高速度、极小尺寸的优点,是现有存储器......
６单电子晶体管的集成单电子晶体管的集成化将依赖于各元器件的无线耦合［３］，这与传统的大规模集成电路原理不同。基于这种单电子器件的集......
纳米硅单电子存储器与现有微电子存储器相比,由于具有更低的功耗、更快的开关速度、更高的存储密度以及更高的集成度,被认为是在非......
采用MonteCarlo方法对多隧道结型、对称陷阱型和环型等三种不同结构的单电子动态存储器进行了数值模拟 ,分析了电容、温度等因素对......
日本NTT公司研制成功了以单个电子存储信息的新型半导体存储器样品。该存储器的特点是：即使在室温下也可稳定地工作。此外，其功耗小，......
本文采用准经典近似的Monte Carlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟.研究结果表明,由于台阶状的复合......
传统MOSFET结构正以较快的发展速度接近其物理极限,而单电子器件将成为新型的高性能集成化器件结构.本文采用量子点及其库伦阻塞效......
在介绍浮栅型硅量子点单电子存储器的结构与工作原理的基础上,通过分析建立了相应的集总电容电路模型,计算了存储器在线性、饱和、......
单电子存储器是依据库仑阻塞原理操纵单个电子进行信息存储的一种量子器件。它具有低功耗、高速度、极小尺寸的优点，是现有存储器极......
兆位规模DRAM需要无数的新技术，包括从3D结构到形成的SIGe源和漏等各种技术。查阅了在1997年年底国际电子器件会议上发表的最新论文......
由单电子晶体管（single—electron transistor，简称SET）构成的存储器具有体积小、容量大、功率消耗低等优点，可望成为继CMOS存储器之后......
介绍了非对称性势垒单电子管（ATBs）的电路模拟和特性，以及采用准经典的Monte Carlo方法对Ge／Si复合纳米结构MOSFET存储器的电路模拟，得......
建立了多隧道结单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟模型，重点分析了器件的工作温度、隧道结电容和隧道结数目等因素对单电子存......
我们制备出了高温Si单电子晶体管，研究了单电子晶体管的集成原理，实现了14个单电子晶体管的串联集成和2个单电子晶体管的并联集成。......
