用不同靶材制备B-C-N薄膜及其红外表征

来源 :吉林大学学报(理学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：lilanlan999

【摘要】

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采用射频磁控溅射方法,分别利用六方氮化硼（h-BN）、硼（B）和石墨（C）靶,在氩气和氮气的氛围中,沉积B-C-N薄膜.傅里叶变换红外光谱（FTIR）分析表明：在1200～1800cm-1和1000～1750cm-1处出现了

【作者】

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王健白亦真张东潘丽柳浩管昌雨吴占玲赵纪军

【机构】

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大连理工大学物理与光电工程学院,大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,大连工业大学艺术与信息工程学院

【出处】

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吉林大学学报(理学版)

【发表日期】

：

2010年6期

【关键词】

：

B-C-N薄膜 N2流量傅里叶变换红外光谱射频磁控溅射 B-C-N films nitrogen flux Fourier-transformed in

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采用射频磁控溅射方法,分别利用六方氮化硼（h-BN）、硼（B）和石墨（C）靶,在氩气和氮气的氛围中,沉积B-C-N薄膜.傅里叶变换红外光谱（FTIR）分析表明：在1200～1800cm-1和1000～1750cm-1处出现了较宽的吸收峰;在2200cm-1处出现了CN键的特征吸收峰.表明在沉积的薄膜中,C原子与N原子相结合.分别溅射C和h-BN靶,红外光谱分析表明,B—C键在1100cm-1处未产生吸收峰,即利用h-BN和C靶沉积的B-C-N薄膜倾向于相分离,利用B和C靶沉积的B-C-N薄膜中的原子实现了

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