【摘 要】
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作为宽禁带半导体材料的一员,结构稳定的β-Ga2O3具有比SiC和GaN更宽的禁带宽度和更高的巴利加优值,近年来受到科研人员的广泛关注。本文采用射频(RF)磁控溅射法在C面蓝宝石
【机 构】
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贵州大学电子科学系,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心
【基金项目】
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国家自然科学基金(61664004),半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(01))
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作为宽禁带半导体材料的一员,结构稳定的β-Ga2O3具有比SiC和GaN更宽的禁带宽度和更高的巴利加优值,近年来受到科研人员的广泛关注。本文采用射频(RF)磁控溅射法在C面蓝宝石衬底上生长β-Ga2O3薄膜,探究溅射过程中衬底加热温度的影响。溅射完成后通过高温退火处理提升薄膜质量,研究衬底加热温度和后退火温度对氧化镓薄膜晶体结构和表面形貌的影响。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等测试手段对β-Ga2O3薄膜晶体结构、表面形貌等进行分析表征。实验结果表明,随着衬底加热温度的升高,β-Ga2O
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