【摘 要】
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从常用MEMS器件用硅片对厚度测试要求的角度出发,分析了厚度测试设备-晶片厚度测试系统在测试MEMS用超薄高精度硅片时引发测量不确定度的主要来源,并对各来源引起的不确定度
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
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从常用MEMS器件用硅片对厚度测试要求的角度出发,分析了厚度测试设备-晶片厚度测试系统在测试MEMS用超薄高精度硅片时引发测量不确定度的主要来源,并对各来源引起的不确定度分量大小进行了计算。结果表明,测试用的校准厚度样片是影响整个测试系统不确定度的主要因素。重点研究了校准样片的几何参数(主要指局部厚度变化DLTV)与其本身不确定度的关系。研究发现,降低校准样片的DLTV值能够有效降低其不确定度大小,当DLTV值为0.46μm时,校准样片的扩展不确定度值为0.3μm,整个测试系统的扩展不确定度值为0.5μm
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