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研究了图形硅衬底上外延生长的氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）薄膜、去除硅衬底后的无损自由状态LED薄膜以及去除氮化铝（AlN）缓冲层后的自由状态LED薄膜单个图形内的微区光致发光（PL）性能,用荧光显微镜与扫描电镜观测了去除.AlN缓冲层前后LED薄膜断面弯曲状况的变化.研究结果表明：1）去除硅衬底后,自由支撑的LED薄膜朝衬底方向呈柱面弯曲状态,且相邻图形的柱面弯曲方向不一致,当进一步去除AlN缓冲层后薄膜会由弯曲变为平整;2）LED薄膜在去除硅衬底前后同一图形内不同位置的PL谱具有显著差异,而当