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用真空热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜，分别在硫化温度为210，240和270℃的条件下硫化45min。研究了硫化温度对薄膜样品光学和电学性能的影响。结果显示：随着硫化温度的升高，其电阻率减小；但薄膜导电类型不受硫化温度的影响，都为ρ型。当硫化温度为240℃时，薄膜为斜方SnS多晶薄膜，沿{111}方向优先生长，其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好，薄膜粒径为200-800nm，薄膜的直接能带间隙为1．46eV，电阻率为25．54Ω·cm。