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研究了多孔硅(PS)吸附有机溶剂分子后对多孔硅荧光谱的淬灭效应。结果表明：淬灭多孔硅发光的有机溶剂分子是极性分子，有机溶剂分子的极性不同对多孔硅发光的淬灭程度也不同，且有些有机溶剂分子吸附氧化多孔硅比吸附多孔硅引起的发光淬灭具有更好的可逆性和选择性；用含有胺基的正丁胺(CH3CH2CH2CH2-NH2)作碳源，用射频辉光放电等离子系统在多孔硅表面沉积c-n膜对多孔硅进行钝化处理后发现：其电致发光强度明显增强，发光峰位兰移，且在大气中存放60天后，其电致发光谱强度基本不衰减，峰位不再移动。经钝化处理的器件较