【摘 要】
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分析了小尺寸效应对深亚微米器件性能的影响,结合输入输出耦合电容和漏极扩散层寄生电容对CMOS反相器延迟影响很大的特点,建立了小尺寸器件延时估算模型.采用变尺寸率反相器
【机 构】
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西安交通大学超大规模集成电路设计研究中心
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分析了小尺寸效应对深亚微米器件性能的影响,结合输入输出耦合电容和漏极扩散层寄生电容对CMOS反相器延迟影响很大的特点,建立了小尺寸器件延时估算模型.采用变尺寸率反相器级连方法,建立了深亚微米输出缓冲器优化设计模型,并运用遗传算法建立了新的优化方法.该方法利用罚函数将小尺寸输出缓冲器优化问题转化为无约束问题,通过适应度函数设计和染色体编码,得到遗传优化结果,克服了传统方法处理非线性多变量问题时存在的效率降低等缺陷.SPICE仿真表明,应用新的深亚微米缓冲器设计模型及方法的优化结果与传统设计比较,延时减少了1个数量级以上,尺寸减小了30%以上,验证了新的深亚微米缓冲器设计模型及设计方法的可靠性.
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