【摘 要】
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本文设计了一种应用于EEPROM的片内高压电荷泵电路。该电路基于Dickson电荷泵结构,用二极管连接的nMOS管代替二极管,通过加入预充管并提高最高输出电压以减少电压上升时间,在
【基金项目】
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湖南省教育厅创新平台开放基金项目(17K004),柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室
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本文设计了一种应用于EEPROM的片内高压电荷泵电路。该电路基于Dickson电荷泵结构,用二极管连接的nMOS管代替二极管,通过加入预充管并提高最高输出电压以减少电压上升时间,在3.3V电源电压下得到最高21V的输出电压。该电路基于SMIC 0.18um 2P4M工艺设计,由cadence软件仿真实现。随着社会的进步,物联网的蓬勃发展,半导体存储技术迎来了黄金时期。其中,EEPROM(电可擦可编程只读存储器)因其接口少、功耗低、存储可靠、价格低廉等优点,在非易失性半导体存储器件领域发挥着重要作用。然而,
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