【摘 要】
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针对便携式GPS系统对低功耗射频前端的需求,基于SMIC 180nm 1P6M RF CMOS工艺提出一种具有单端转差分功能的低功耗低噪声放大器。为了实现低功耗的目标,低噪声放大器的晶体管
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针对便携式GPS系统对低功耗射频前端的需求,基于SMIC 180nm 1P6M RF CMOS工艺提出一种具有单端转差分功能的低功耗低噪声放大器。为了实现低功耗的目标,低噪声放大器的晶体管均被偏置在中等反型区。考虑ESD保护和焊盘寄生效应,后仿真结果显示,在最差工艺角情况下,增益为19dB,三阶交截点为-14dBm,噪声系数为4.2dB,输入回损为-8dB。在0.7V供电电压下,功耗为1mW,增益功耗比为19dB/mW,十分适合应用在便携式手持GPS领域。
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