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首次指出了超结IGBT这一新型功率半导体器件独特的导通机理并对其作了详细分析。通过TMA—MEDICI仿真验证，超结IGBT耐压能力和正向导通能力都明显优于普通IGBT。并且发现，不同N柱、P柱掺杂浓度下器件的导通模式会在单极输运和双极输运之间相互改变，而这一特性是超结IGBT所独有的。也正是这一特殊的导通机理使得超结IGBT的Eoff-Von关系得到了突破性的改进。此外，结合超结技术的基本理论详细分析了电荷非平衡效应对超结IGBT器件耐压能力的影响，给出了耐压区N柱、P柱掺杂浓度的合理取值范围。