峰值结温相关论文
β-Ga_2O_3作为一种新型宽禁带半导体材料,因其～4.8 e V的禁带宽度、高达8MV/cm的击穿场强、稳定的物理化学特性,成为了Si C、Ga N......
本文通过红外热像法分析了用于组件中功率芯片折峰值结温、峰值热阻与直流偏置条件的关系及其变化趋势，并与ΔV＜，BEF＞电学法测量的平均......
从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法.发射区热......
三维全热程热电一体地模拟了Si BJT微波功率器件，热场计算包括从芯片的有源区经芯片－粘接层－基片－粘接层－底座直到固定于70度的安装台面......
使用自编的分析软件，根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析，给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线，一维温......
利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频（f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%）和峰值结温220°C......
以GaAs基异质结双极性晶体管（HBT）单片微波集成电路（MMIC）为例，研究了器件内部的热生成机制．包括：确定器件内部的热生成机制及热生成区的......
描述了功率晶体管峰值结温电学测量技术中采用的三维两层结构模型，给出其解析解及计算程序框图。用此模型将电学测量的平均结温修正......
