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利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究了用于电子封装的以Ｄｙ２Ｏ３，ＣａＯ为添加剂的ＡＬＮ和以堇青石，ＢａＣＯ３为添加剂的莫来石陶瓷衬底的物相组成和表面成分，尤其是表面杂质，并利用ＳＩＭＳ尝试探讨了ＡｌＮ表面热氧化问题。结果表明，ＡｌＮ和莫来石陶瓷表面不同程度地存在Ｌｉ，Ｃ，Ｆ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｌ，Ｔｉ，Ｒｂ等杂质元素的污染；ＡｌＮ表面存在富Ｏ层，在空气中经过８５０℃１０分钟退火后，富