【摘 要】
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在传统终端存储架构中,DRAM内存普遍存在静态刷新功耗高、存储密度难以提升等问题;基于NAND flash的外存也因其与CPU之间巨大的性能差异而成为制约终端系统性能提升的重要瓶
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院大学
【基金项目】
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国家物联网与智慧城市重点专项对接:传感信息精确感知与智能处理关键技术研究(Z181100003518002),北京市科技专项:科技新星与领军人才(Z171100001117147)
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在传统终端存储架构中,DRAM内存普遍存在静态刷新功耗高、存储密度难以提升等问题;基于NAND flash的外存也因其与CPU之间巨大的性能差异而成为制约终端系统性能提升的重要瓶颈。新型非易失存储器(Non-volatile Memory,NVM)具有静态功耗低、读写速度与DRAM相近、可按字节访问、非易失等优势,为解决传统存储架构存在的问题提供了希望。本文面向嵌入式系统,提出了基于DRAM+NVM混合内存结构及其存储管理方案。采用目标程序在混合内存中进行选择性分配的方法,克服NVM写功耗高,写速度慢的不
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