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采用射频磁控溅射的方法在不同电阻率的P型硅衬底上沉积氧化锌薄膜，制备了ZnO／p-Si异质结。通过X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）分析ZnO薄膜的物相结构和表面形貌。研究室温下不同电阻率的硅衬底对ZnO／p-Si异质结电流-电压特性和酒精敏感特性的影响。结果表明：ZnO薄膜结晶情况良好，具有高度的c轴择优取向，表面颗粒分布均匀；ZnO／p-Si异质结酒精敏感性依赖于p-si衬底，当p-Si衬底的电阻率为10～20Ω·cm时，其气敏性能最强；该异质结在＋4．0V的偏置电压下，对0．024g