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应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米 Si锥阵列. 采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的 电子场发射性能.实验结果表明用这种方法形成了高度为 10～ 35nm的锥状纳米结构 ,并且这些 纳米硅锥阵列的场发射性能良好.比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能,发现多孔硅 衬底上更适合生长这种纳米硅锥.