场发射性能相关论文
金刚石具有负电子亲和势(NEA),可以在冷阴极器件中充当电子发射源,但是金刚石本身接近于绝缘,不利于膜内电子在导带中进行连续的迁......
ZnO和金刚石是非常重要的宽带隙半导体材料,具有优异的物理化学性质。将ZnO和金刚石结合起来制备的新型复合结构,在场发射显示器冷......
银材料具有良好的导热性和导电性,特别是纳米尺寸的银颗粒具有表面等离子激元共振效应,可以增强表面拉曼散射、表面荧光和催化活性......
功能纳米材料是纳米材料领域富有活力的、应用前景广阔的材料科学分支。它包括功能纳米材料的制备科学、结构、性能表征和应用科学......
采用光刻技术在覆盖有氧化锌(ZnO)薄膜的ITO玻璃片衬底上实现图形化生长,结合水热法在衬底上制备出结构完整、排列一致的ZnO矩形和......
提出一种具有凹面阴极结构的电子束自会聚型后栅场发射显示器(FED)。利用Ansys软件模拟此器件的电场分布和电子束轨迹,研究凹面阴......
碳纳米管因其具有优异的力学、电学、热学性质而成为优良的场发射阴极材料，在场发射平板显示器（FED）中具有广阔的应用前景。本文以制......
碳纳米管具有优良的场发射性能,将碳纳米管场发射阵列应用于行波管电子枪以取代现有的热阴极是目前的研究热点。本文采用微波等离......
学位
随着纳米科学和纳米技术的快速发展，纳米材料得到了越来越多的应用方面的研究，如纳米激光器，气体传感器，光子探测器等等。近年来，特定的......
石墨烯是由单层碳原子排列成蜂窝网六元环状的二维碳材料,石墨烯具有高弹性,高机械强度,高比表面积2600m·g-1,以及高电子转移速率......
本文以具有优异场发射性能的SiC阴极材料研发为目标,依据局域场增强效应、增加发射点密度和降低功函数等原理,分别采用离子溅射法......
纳微结构材料因其在介观物理领域及构造纳微器件方面的应用前景而受到许多研究小组的广泛关注。三氧化钼是一种宽带隙的n型半导体......
氧化锌是一类重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,有着众多优异的特性,尤其是：良好的化学稳定性,小的甚至负的电子亲和势(NEA),高......
碳纳米管独特的结构使得它在轴向上表现出十分优异的性能。已有大量的研究表明阵列式碳纳米管膜具有优异的电学、导热性能和场发射......
金属(如W、Mo、Ta等)是研究最早,也是目前使用最广的场发射阴极材料,此类材料的发射机理比较清楚,制备工艺也比较成熟。虽具备易加......
一维半导体纳米材料兼顾了纳米材料与半导体材料的优点,在催化、电池、发光、显示等多个领域都有着良好的应用前景,引起了人们的广......
本文利用化学气相反应法(CvR)成功合成了四种不同形貌的SiC纳米线,通过场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍......
离子注入掺杂是一种改善金刚石膜导电性能的有效手段,经过掺杂后的金刚石膜有望提高场发射显示器冷阴极材料的综合性能。因此,本文......
碳化硅（SiC）是具有高的禁带宽度的第三代半导体材料，具有许多优良的性质:如抗电压击穿能力强、高电子饱和速度和电子迁移率、高热导率......
ZnO作为直接宽带隙半导体材料，具有优异的热稳定性、负电子亲和性、丰富的纳米结构以及独特的光电特性，有广阔的应用空间，是制备场发......
本文研究了N掺杂SiC一维纳米材料的合成工艺、等离子体处理和纯化处理工艺及其场发射性能。主要研究了原料质量比、等离子体种类和......
本文利用化学气相反应法，以Si和SiO2混合粉体为硅源，分别以CH4、石墨粉、活性炭为碳源，以La、Ce化合物为稀土源，制备得到高质量的La、C......
本文主要研究了利用不同的C源和N掺杂剂,采用化学气相反应法制备了高质量的N掺杂SiC一维纳米材料,并探索了聚合物直接裂解法制备Si......
氧化铟(In2O3)纳米材料以其宽带隙，良好的导电性，低电子亲和势，高击穿电场和更好的化学稳定性等优点，在这些宽禁带半导体纳米材料中逐......
阴极的电子发射性能很大程度上影响着真空微电子器件的整体性能,提高阴极的电子发射能力是提高真空微电子器件性能的有效手段。场......
石墨烯是一种由碳原子以Sp2杂化轨道组成的六角型晶格单原子层二维晶体。有许多独特的性质,它是零带隙的半金属半导体材料,具有优......
学位
随着一维纳米材料在电学、光学等领域的广泛应用,其制备方法获得了快速发展,例如溶胶-凝胶法、气相沉积法、静电纺丝法等。然而迄......
碳纳米管薄膜由于其独特的结构和优良的性能,尤其在场发射方面的应用受到极大的关注,而原位生长碳纳米管薄膜是制备场发射阴极的一......
本论文对准一维纳米材料的光电子能谱及其场发射性能进行了较为系统的研究，主要工作包括以下几个方面： 1.调试并校准了光电子能谱......
采用阳极氧化法和高压液相电化学方法分别制备了高度有序结构的TiO2纳米管（Titanium dioxide nanotubes,TNTs）阵列、具有异质结构的......
碳纳米管(Carbon Nanotube, CNT)是继C60之后碳材料领域的重大发现,是由一层或多层石墨片卷曲而成的同心中空管,因其奇特的结构和......
技木领域rn本发明涉及一种碳纳米材料的制备方法.rn背景技术rn由于石墨具有较高的热稳定性、化学稳定性、导电性、高电子传导性、......
为设计新型场发射器件，构建了石墨烯-C60复合结构来探索其电子结构和场发射特性，采用第一性原理方法研究其结构稳定性、轨道能级、局......
以CH4和H2为反应气,采用微波等离子体增强化学气相沉积方法在直径为10 cm的硅原片上制备纳米金刚石薄膜。用X射线衍射仪、拉曼光谱......
一维W纳米材料是一种新型的场发射材料,具有优异的场发射性能。介绍场致电子发射的基本原理及性能评价标准;讨论一维W纳米材料的6......
为进一步提高碳纳米管阴极的场发射能力,分析了不同条件下碳纳米管的场发射测试结果,研究了热累积效应对碳纳米管场发射性能的影响......
研究了经氢等离子体处理后多壁碳纳米管的场发射性能.测量了处理前后样品的电流电压特性和表面形貌.结果表明经氢等离子体处理后,......
用丝网印刷法将舢掺杂的T-ZnO晶须制备成薄膜，以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能．所有发光谱均由强的紫外光发射（发光中心集中......
研究了铪掺混与钛掺混对纳米金刚石场发射特性。根据金属铪与钛的不同性质,分别对纳米金刚石掺混铪和钛,通过电泳法在钛基底上制备......
以聚碳酸酯（PC）膜为模板，结合溶胶凝胶法制备了直径为200nm的非晶态氧化钼纳米棒阵列；390℃热处理1h后转变为晶型良好且高度有序的MoO3......
以硝酸锌为原料,乌洛托品为催化剂,采用水热法分别在自支撑金刚石膜及硅基底上制备了ZnO纳米棒。采用场发射扫描电子显微镜、X射线......
应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米 Si锥阵列. 采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米......
采用多靶磁控溅射技术制备了钛掺杂类金刚石（Ti-DLC）薄膜,并在不同温度（300,350,400℃）下进行了热处理,研究了热处理温度对薄膜微观结......
氮掺杂石墨烯管,兼具了氮掺杂石墨烯独特的物化属性和一维中空结构的特点,使其在场发射阴极材料、新能源电池及超级电容器电极材料......
