场发射性能相关论文
采用化学气相沉积法在厚度约450nm的ZnO晶种层上分别生长了ZnO纳米棒/纳米锥阵列,并对其场发射特性进行了研究.研究结果发现:沿c轴......
采用电泳沉积法,在Ag浆导电厚膜衬底电极上制备石墨烯场发射阴极.研究不同电泳电流对石墨烯阴极表面形貌和场发射性能的影响.采用......
采用丝网印刷法制备碳纳米管场发射阴极并进行磁场辅助热处理,研究磁场辅助处理碳纳米管阴极的场发射性能.未进行磁场处理的场发射......
氧化锌作为场发射材料已经得到了广泛深入的研究,但由于自身的电学性能限制了其场发射性能的进一步提高,为了改善氧化锌的场发射,......
阴极作为器件工作的电子发射源,是真空电子器件的心脏.自首次报道碳纳米管电子场发射实验研究以来,碳纳米管被认为是最具应用潜力......
以钼网作为掩膜，以镀Ni的硅片为基底，通过AlCl3和NH3的反应，在700℃时实现AlN纳米锥的图案化生长。图案化生长使AlN纳米锥的屏蔽效应......
碳纳米管(CNTs)有高的机械强度、奇特的电学性能、优良的储氢能力等一系列的物理化学性质，在复合材料、纳米电子学器件、微型传感器......
本文具体研究了外电场、碳纳米管自身线度、尤其管的阵列密度对其场发射性能的影响.在均匀碳纳米管阵列模型下,从理论上给出碳纳米......
采用电沉积方法制备了纳米Ni针锥场发射阵列,通过扫描电子显微镜(SEM)观测了纳米Ni针锥阵列的微观形貌,利用真空场发射测试系统了......
Synthesis,field emission and optical properties of ZnSe nanobelts, nanorods and nanocones by hydroth
低温下利用EDTA作为软模板,通过水热法合成了一维半导体ZnSe纳米带、棒和锥等纳米结构.EDTA对ZnSe纳米结构的形成起重要作用.场发......
通过将二氧化钛(TiO2)和碳纳米管(CNTs)的复合物TiO2/CNTs涂覆在三维泡沫镍(Ni-F)基底上,得到了性能十分优异的的场发射阴极.它具......
镉硫化物(CdS ) 的地电子排放的反应到可见的光的 nanowires (NW ) 被调查了。它被发现那，在轻照明之上，刺激电压落下，排放电流显然增......
本文利用化学气相反应(CVR)法,系统研究了不同温度对Ce掺杂的SiC纳米线及其场发射性能的影响规律.利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TE......
考察了在600℃以下通过反应AlCl3+NH3→AlN+3HCl制备AlN纳米锥的规律,结果表明在500℃时仍可获得AlN纳米锥,当温度为480℃时则无氮......
基于HCl辅助热蒸发GaN粉末的方法制备了纯净的一维GaN纳米线垂直阵列,重点研究了不同生长时间对应不同形貌的GaN纳米结构的电子场......
以十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为表面活性剂,采用超声分散工艺制备出稳定的石墨烯水分散液,并采用喷涂法分别在玻璃和n-Si基底上形成石......
采用丝网印刷制备碳纳米管(CNT)阴极的过程中,烧结工艺不仅影响着CNT薄膜的稳定性,而且决定最终阴极的场发射性能,已经成为制约场......
本文对结构相同的覆四种不同金属层（金、铝、镍、铬）的Ｐ型硅楔形体阵列进行了实验比较研究，表明金、铝、镍可望成为低真空和大气压环境......
测试了采用磁控溅射工艺制备得到含金刚石碳薄膜的场发射性能，试验结果表明含金刚石薄膜具有良好的场发射性能，最小场强阈值为３７Ｖ／μｍ，其相......
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纳米电脑应用纳米技术研制的计算机内存芯片，其体积不过数百个原子大小，相当于人的头发丝直径的千分之一。纳米计算机不几乎不需要耗......
以镍金属为催化剂,在600℃条件下,采用化学气相沉积法(CVD)制备碳纳米管。将制得的碳纳米管用高能球磨法处理0.5～1h后,以空气氧化法......
采用磁控共溅射法在Si片表面镀NiTi膜作为碳纳米管生长的催化剂,制备出表面形貌特殊的碳纳米管薄膜,如“丘状”和“星状”的表面微......
考虑到薄膜中的电子散射,发展与完善了现有的场发射F-N(Fowler-Nordheim)模型,理论研究了不同厚度的半导体薄膜对其场发射性能的影......
将Ni(NO3)2-Mg(NO3)2体系作为催化剂前驱体,在不同气源比例下用CVD催化裂解法制备纳米碳管,用SEM、TEM和喇曼光谱对其进行了表征和......
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采用化学气相沉积法在硅衬底上生长二氧化锡(SnO2)纳米线,并对其进行热处理。扫描电子显微镜、X射线衍射仪和拉曼光谱测试分析表明......
本文采用丝网印刷技术制备了具有高粘接性能的碳纳米管冷阴极.该碳纳米管冷阴极在直流连续及脉冲场下均具有优异的场发射性能,同时......
本研究使用第一性原理密度泛函计算,研究了四个单侧吸附的Li修饰硼α平面(Lin/BBST)体系的场发射性能。计算中首先考查了电场......
随着电子业和通讯业的发展，场发射平板显示器已经渗入人们的生活中，这无疑对场发射平板显示产品的核心结构场发射阵列有很大的要......
场电子发射在X射线管、微波管等真空电子器件中有显著的技术优势.我们应用化学气相沉积技术(CVD)，在含催化金属(主要是镍)基底......
随着纳米电子学和纳米光电子学器件的不断进步,对高性能碳基场发射体的需求越来越迫切[1-7]。但是迄今为止,碳基薄膜场发射体......
利用电泳沉积制备石墨烯阴极,通过简单的溶液法在石墨烯表面生长氧化锌量子点,改善场发射性能.石墨烯-氧化锌量子点复合发射体表现......
金刚石具有负电子亲和势(NEA),可以在冷阴极器件中充当电子发射源,但是金刚石本身接近于绝缘,不利于膜内电子在导带中进行连续的迁......
ZnO和金刚石是非常重要的宽带隙半导体材料,具有优异的物理化学性质。将ZnO和金刚石结合起来制备的新型复合结构,在场发射显示器冷......
银材料具有良好的导热性和导电性,特别是纳米尺寸的银颗粒具有表面等离子激元共振效应,可以增强表面拉曼散射、表面荧光和催化活性......
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对纳米技术的发展,世界各国及各国的著名科学家都做出了他们的预言。如美国IBM公司首席科学家阿莫特朗说:“正如70年代微电子技术......
功能纳米材料是纳米材料领域富有活力的、应用前景广阔的材料科学分支。它包括功能纳米材料的制备科学、结构、性能表征和应用科学......
石墨衬底先分别浸泡于0.1~1mol/L不同浓度的硝酸铁溶液后,采用低压化学气相沉积法于700℃在石墨衬底上生长碳纳米管薄膜。根据扫描......
碳纳米管作为一种新型的光电材料有着广泛的应用,可用于平板显示器中的电子发射器件。定向碳纳米管阵列是碳纳米管的一种取向形态,......
以纳米碳管阵列为研究对象,利用镜像悬浮球模型及Fowler-Nordheim电流密度公式,对纳米碳管阵列的场发射电流密度进行计算,进而综合......
