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随着CMOS技术缩至100nm或更小,在CMOS器件结构、接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战.
超大规模集成电路的一些材料物理问题（Ⅱ）—尺寸缩小带来的巨大挑战
【摘 要】
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随着CMOS技术缩至100nm或更小,在CMOS器件结构、接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战.
【机 构】
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中国科学技术大学物理系,中国科学技术大学天文和应用物理系
【出 处】
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物理
【发表日期】
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2002年1期
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