(011)取向单晶衬底上主长的非晶Sm-Co薄膜的面内各向异性调控

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具有单轴面内各向异性的非晶Sm-Co薄膜在信息存储和自旋电子学领域中都具有广阔的应用前景.产生单轴面内各向异性的最有效方法是在薄膜沉积过程中施加面内磁场.然而,这种方法通常需要复杂的设备.本文中,我们报道了一种产生单轴面内各向异性的新方法,只需要将非晶Sm-Co薄膜生长在(011)取向的单晶衬底上,薄膜生长过程中不需要施加任何外部磁场.薄膜的各向异性常数kA随衬底晶格常数的变化而变化.生长在LaAlO3(011)衬底上的非晶Sm-Co薄膜的各向异性常数kA高达3.3×104 J·m-3.详细分析表明,衬底各向异性应变引起的铁磁畴的择优生长,以及薄膜中Sm-Co、Co-Co取向对的有序化,在非晶Sm-Co薄膜单轴面内各向异性的产生上起到了重要作用.这项工作为在非晶Sm-Co薄膜中获得单轴面内各向异性提供了一种新方法.
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