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原料采用在Fe（0．03％，质量分数）：LN中掺进摩尔分数为（1％、2％、4％、5％）的HfO。，再次采用提拉法生长Hf：Fe：LN晶体。抗光损伤阈值测试表明，Hf（5％，摩尔分数）：Fe：LN晶体抗光损伤能力比Hf（1％，摩尔分数）：Fe：LN晶体提高2个数量级以上。以二波耦合光路测试晶体的衍射效率，写入时间和擦除时间，并计算出光折变灵敏度和动态范围。结果表明，Hf：Fe：LN晶体全息存储性能优于Fe：LN晶体。