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通过结合发光显微镜（EMMI）测试和poly-edge电容测试结构很好地控制了多晶硅刻蚀时间，避免了栅极氧化膜的早期失效．从栅极氧化膜击穿电压的测试结果可以看出，当刻蚀时间较短时，一个晶圆内几乎所有测试结构都呈现早期失效模式．通过延长刻蚀时间，早期失效数逐渐减少，最后可以完全消除早期失效，所有测试结构都为本征失效．为了分析多晶硅刻蚀时间和氧化膜失效模式的关系，对早期失效和本征失效样品进行了发光显微镜测试．Poly-edge电容结构的测试结果表明，过短的刻蚀时间导致了多晶硅在STI沟槽中的残留，硅化工艺后，