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使用溶胶-凝胶法制备N∶ZnO薄膜,用X射线衍射仪（XRD）对晶体结构进行表征,用扫描电子显微镜（SEM）观察薄膜表面形貌,用荧光光谱仪测量低温（8K）及变温条件（8～200K）下的光致发光（PL）光谱。分析了各个发射峰的形成机理,通过薄膜缺陷态发光和受主能级的关联性,计算出了N作为受主所需电离能的大小在0.255～0.31eV范围内。研究结果为以后P型ZnO薄膜的制备和研究提供了依据。