变掺杂相关论文
以垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,VDM......
本文主要围绕透射式变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极量子效率理论模型、结构设计和光电发射性能等方面展开系统研究。基于光电发......
分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点。基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的......
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)一般应用于超宽带脉冲信号源,可以将纳秒级高压脉冲换向负载,这对于输出脉冲的上升前沿有很高的要求.文......
为了将变掺杂GaAs材料应用于微光像增强器,开展了透射式变掺杂GaAs光电阴极实验研究,制备了2种反转结构透射式变掺杂GaAs光电阴极.......
针对NEAGaN光电阴极结构设计和制备工艺需进一步优化的问题，结合阴极量子效率表达式和影响量子效率的因素，采用理论和实验相结合的方......
提出具有浮空埋层的变掺杂高压器件新结构（BVLD：Variation in lateral doping with floating buriedlayer）,建立其击穿电压模型。线性......
利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53 Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN......
为充分发挥氮化镓(Gallium Nitride,GaN)功率器件的高频开关优势,其栅控制驱动芯片工作频率也应得到相应提升。由于自举二极管特性......
从变掺杂阴极的结构种类、变掺杂GaAs光电阴极的光电发射机理、制备技术以及变掺杂结构对阴极性能的影响等方面介绍了当前国内研究......
微光夜视器件作为一种主要的夜间观察设备在现代社会中发挥了重要的作用。GaAs光电阴极是微光夜视器件的核心组成部分,因此如何制......
<正> 早在1951年,Lack-Horowitz就提出核反应可作为半导体材料硅的一种掺杂方法。六十年代初期,Tanenbaum等人进行了实验,指出中子......
为了提高我国三代微光像增强器的技术水平,本文围绕透射式变掺杂GaAs光电阴极材料及组件的制备及评价、组件光学性能、自动激活技......
确定阴极材料的光子吸收系数,是开展变掺杂GaAs光电阴极光电发射性能理论研究的重要条件之一。分析了变掺杂阴极的结构特点,提出了......
光子增强热电子发射(PETE)效应是近年提出的一种实现太阳全光谱高效光电转换的新概念技术。目前,对于PETE光电器件的研究还停留在......
负电子亲和势GaAs光电阴极经过40多年的长足发展之后,已经在阴极理论、工艺、模型与表征技术等方面取得了显著的成绩,GaAs光电阴极......
为了将变掺杂GaAs材料应用于微光像增强器,开展了透射式变掺杂GaAs光电阴极实验研究,制备了2种反转结构透射式变掺杂GaAs光电阴极......
为定量研究变掺杂结构对阴极量子效率的作用效果,设计生长了两种不同掺杂方式的反射式梯度掺杂GaAs光电阴极,激活后测量了两者的光......
借助指数掺杂与均匀掺杂光电阴极的量子效率公式,提出了采用加权平均法表示的反射式变掺杂光电阴极量子效率理论模型.使用该模型对......
本文介绍了横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transist......
为了更深入地研究和发展变掺杂GaAs光电阴极的相关理论与技术,探索我国高性能三代微光像增强器的发展途径,本文在变掺杂GaAs光电阴......
从变掺杂负电子亲和势（NEA）GaN光电阴极材料的光电发射机理入手,给出了反射式变掺杂NEA GaN光电阴极内建电场和量子效率的计算公式.......
