亚微米DSOI MOSFET非平衡热电耦合模拟

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【摘要】

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本文利用电子-光学声子-声学声子散射非平衡能量热电耦合模型数值模拟了DSOI MOSFET,得到了器件静电势、电子浓度和温度分布、声子温度等分布,分析了其热电性质.结果表明在栅

【作者】

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段传华梁新刚

【机构】

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清华大学工程力学系过程节能与传热强化教育部重点实验室

【出处】

：

工程热物理学报

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

DSOI MOSFET 亚微米非平衡热电耦合 DSOI MOSFET MICRON non-equilibrium coupled-thermal-

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本文利用电子-光学声子-声学声子散射非平衡能量热电耦合模型数值模拟了DSOI MOSFET,得到了器件静电势、电子浓度和温度分布、声子温度等分布,分析了其热电性质.结果表明在栅极靠漏区是器件热电特性变化最为显著,DSOI器件自热效应很小,具有很好的热电特性,在亚微米器件中的确存在非平衡能量状态.

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