BiVO4的光催化活性及其正电子湮没谱

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以2,4-二硝基苯酚光催化降解为探针反应,考察了BiVO4的光催化降解活性。利用正电子湮没谱分析了焙烧温度对BiVO4光催化活性的影响。结果表明,焙烧温度能引起特定的缺陷数目变化,改变了光催化剂的微观结构。经900℃焙烧的BiVO4催化剂比在其它温度下焙烧的催化剂有较多的表面缺陷数目,可产生表面光生电子-空穴的数目较多,不均匀性、缺陷位的电子密度大,使得其光催化氧化活性增强,即2,4-二硝基苯酚的降解率较高。
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