【摘 要】
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采用MOCVD方法在InP衬底上制备了高质量的四元合金Gao4In0.6As0.85P0.15和InP外延层,用椭圆偏光仪测得Gao4In0.6As0.85P0.15和InP外延层的折射率.由这两种具有不同折射率的半
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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采用MOCVD方法在InP衬底上制备了高质量的四元合金Gao4In0.6As0.85P0.15和InP外延层,用椭圆偏光仪测得Gao4In0.6As0.85P0.15和InP外延层的折射率.由这两种具有不同折射率的半导体材料交替生长构成不同周期的分布布喇格反射镜(DBR).研究了不同周期的DBR结构的反射率与波长及反射率与DBR结构周期数的关系.根据多层膜增反原理,当中心波长为1.55 μm时,反射率随周期数增加迅速增加,周期数为23时,反射率可达99.97%.利用MOCVD技术,通过Ga0.4In0.6
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