基于GaAs HBT工艺的12位1 GS/s多奈奎斯特域数模转换器

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:youdong1964
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介绍一种基于1μm GaAs HBT工艺的12位1 GS/s多奈奎斯特域数模转换器(DAC)。使用信号归零技术将DAC的有效输出带宽拓展到第三奈奎斯特频域。该DAC在第一至第三奈奎斯特频域内具有平坦的输出功率和较好的SFDR。测试结果表明,与传统DAC相比,多奈奎斯特域DAC在第二奈奎斯特频点附近的输出功率增大37dB,SFDR提高25dB。
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