【摘 要】
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以自蔓延高温合成（SHS）的AlN粉体为原料,以Y2O3-B2O3-CaF2和YF3-B-CaF2系为烧结助剂,采用热压烧结工艺制备AlN陶瓷。结果表明,采用烧结助剂,在1750℃、压力为35 MPa、保温2 h的
【机 构】
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中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙理工大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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国家博士后基金项目(20060400881);湖南省博士后基金项目(No.2006FJ4239);湖南省科技攻关项目(S2006C3530)
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以自蔓延高温合成（SHS）的AlN粉体为原料,以Y2O3-B2O3-CaF2和YF3-B-CaF2系为烧结助剂,采用热压烧结工艺制备AlN陶瓷。结果表明,采用烧结助剂,在1750℃、压力为35 MPa、保温2 h的烧结条件下,可获得相对密度均98.8%、热导率为95W/（m·K）的AlN烧结体。通过对AlN试样断口的SEM分析可知:AlN晶粒大多呈直接结合,晶界相较少,有少量气孔存在。对AlN陶瓷进行后续热处理可提高其热导率,这主要是由于后续热处理后AlN陶瓷的晶界比较干净、AlN晶粒间呈直接结合而晶界相呈孤岛状分布。
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