【摘 要】
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根据纳米MOSFET的紧凑模型,采用HSPICE的蒙特卡罗分析方法,研究随机掺杂波动（RDF）引起的纳米MOSFET模拟/射频性能包括栅极电容、截止频率、跨导和输出电导等参数的变化标准差,
【机 构】
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杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61571171);浙江省自然科学基金资助项目(LY18F040005)
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根据纳米MOSFET的紧凑模型,采用HSPICE的蒙特卡罗分析方法,研究随机掺杂波动（RDF）引起的纳米MOSFET模拟/射频性能包括栅极电容、截止频率、跨导和输出电导等参数的变化标准差,同时通过改变栅介质的介电常数（ε）和等效氧化层厚度(dox),观测其对RDF引起的模拟/射频性能变化的影响。结果显示,RDF引起的MOSFET模拟/射频性能参数变化表现出不同的特征,而在适当选择较高的ε和dox情况下,RDF引起的模拟/射频性能参数变化标准差有一定程度的减小（绝对标准偏差整体降低到接近0,相对标准偏差整体最大降低10%）,为通过改变等效栅介质抑制RDF的影响提供了实验依据。
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