纳米MOSFET相关论文
为了处理纳米MOSFET载流子分布的量子效应,提出了基于Levenberg-Marquardt BP神经网络的量子更正模型,通过载流子的经典密度计算其......
目前研究准弹道输运纳米MOSFET散粒噪声的抑制时,采取了完全不考虑其抑制,或只强调抑制的存在而并未给出抑制公式的方式进行研究.......
传统噪声理论提取背散射系数时,引入的参量较多并依赖量子力学计算,或是采取大量的假设而使得到的结论存在偏差.本文将基于Navid模......
实际纳米MOSFET电流噪声为散粒噪声和热噪声,且散粒噪声受到费米作用和库仑作用的抑制.而现有文献研究实际纳米MOSFET电流噪声时,......
为了有效地表征纳米MOSFET强反型区下的射频噪声特性,研究了其噪声建模的方法。首先实验测量和理论模拟结果均表明,随着器件尺寸缩......
不同沟道长度的MOSFET器件的噪声机理是不同的,目前已探明工艺技术成熟的长沟道MOSFET的高频本征噪声机理为热噪声。但对于工艺技......
MOSFET高频噪声的建模是其在无线通信中应用的基础。面向低功耗、混合信号及高频应用的短沟道COMS技术,其最佳的高频特性已从低中......
本博士学位论文首要的工作是首次用改进的能量和空间坐标下的非平衡Green函数方法mES-NEGF(modifiedEnergyandSpaceNon-Equilibriu......
文章提出了基于Levenberg-Marquardt BP神经网络的MOSFET反型层载流子密度量子更正模型,对于较大氧化层厚度范围、Si层厚度范围、......
从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互......
文章提出了基于Levenberg-Marquardt BP神经网络的MOSFET反型层载流子密度量子更正模型,对于较大氧化层厚度范围、Si层厚度范围、......
为了处理纳米MOSFET载流子分布的量子效应，提出了基于Levenberg-Marquardt BP神经网络的量子更正模型，通过载流子的经典密度计算其量......
为了使复杂的纳米MOSFET毫米波噪声物理模型可用于工程设计,研究了其简洁模型的表达形式。通过器件的双端口相关噪声矩阵变换和分......
为了有效地表征纳米MOSFET强反型区下的射频噪声特性,研究了其噪声建模的方法。在分析45nmMOSFET射频小信号等效电路参数提取结果......
为了有效地表征45nmMOSFET毫米波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的建模方法。基于45nmMOSFET的器件物理结构及其导纳参数......
伴随着科技的高速发展,越来越复杂多变的电磁环境给电子系统带来的影响变大。新概念电磁武器也被更多的应用于现代战争。另外伴随......
为了统一表征毫米波频段下纳米MOSFET从强反型区到弱反型区的偏置依赖性,对高频MOSFET等效电路建模及其参数提取技术进行了研究,给......
针对常规纳米尺度电子元器件的噪声特性,研究其噪声的基本测试条件,并建立测试系统。在屏蔽条件下采用低温装置和超低噪声前置放大......
随着工艺技术不断创新,集成电路核心器件MOSFET的特征尺寸已缩小到深纳米量级,器件和集成芯片的性能都得到大幅提升。然而,深纳米......
VLSI制造技术已发展到深纳米量级,无论器件还是芯片的性能都进一步得到提高,然而制造流程各环节引入的工艺波动对芯片电学性能的影......
实验测量和理论模拟结果均表明,随着MOS器件尺寸缩小到纳米尺度,过剩噪声的主要成分将从以热噪声为主转变为以散粒噪声为主。基于......
实验测量和理论模拟结果都表明,当器件沟道长度减小到某一长度后,载流子输运机制将从漂移扩散向准弹道甚至弹道输运过渡,而器件中......
根据纳米MOSFET的紧凑模型,采用HSPICE的蒙特卡罗分析方法,研究随机掺杂波动（RDF）引起的纳米MOSFET模拟/射频性能包括栅极电容、截止......
