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快速热化学汽相淀积法已用于生长100A厚度的Si和Si1-xGex结构，本文讨论了关于生长这种结构的气体变换与温度变换的相关指标。证明了用红外透射进行温度测量时活化温度可控制在600－700度之间，这种生长技术已用于逐层控温45A周期的超晶格结构以及接近理想电特性的异质结双极晶体管中。
用快速热化学汽淀积法生长Si1—xGex及其在异质结双极晶体管中的应用
【摘 要】
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快速热化学汽相淀积法已用于生长100A厚度的Si和Si1-xGex结构，本文讨论了关于生长这种结构的气体变换与温度变换的相关指标。证明了用红外透射进行温度测量时活化温度可控制在
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1993年2期
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