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采用射频磁控溅射法制备了以非晶铋掺杂氧化铟锌（a-IZBO）为沟道层的薄膜晶体管（TFTs）.相比本征的氧化铟锌薄膜晶体管,a-IZBO-TFTs显示出更低的关态电流,正向偏移的开启电压,表明铋掺杂能有效抑制载流子浓度.在铋掺杂含量为原子百分比8.6%时达到最佳的电学性能：载流子迁移率为7.5cm~2/（V·s）,开关比为3×10^8,亚阈值摆幅为0.41V/decade.使用光致发光激发谱和X射线光电子能谱评价了a-IZBO沟道层中的氧空位缺陷,分析结果证实了铋的掺杂确实有效地减少了