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测量了缝电极和梳形电极ａ－Ｓｉ：Ｈ样品的光伏安特性和光电灵敏度，撮由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法，由此法测现的ａ－Ｓｉ：Ｈ的电荷放大增益，在１０＾５Ｖ／ｃｍ电场下，高达４．３×１０＾３、本文从能态图讨论了ａ－Ｓｉ：Ｈ中电荷放大效应的产生过程。由测量的增产佃值计算了电子迁移率与寿命之积。
用光电灵敏度法研究a—Si：H中的电荷放大效应
【摘 要】
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测量了缝电极和梳形电极ａ－Ｓｉ：Ｈ样品的光伏安特性和光电灵敏度，撮由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法，由此法测现的ａ－Ｓｉ：Ｈ的电荷放大增益，在１０＾５Ｖ／ｃｍ电场下，高达４．３×１０＾３、本文从能态图讨论了ａ－Ｓｉ：Ｈ中电荷放大
【机 构】
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中国科学院电子学研究所,南开大学
【出 处】
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电子科学学刊
【发表日期】
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1999年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号 69676016)
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