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SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .
LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究
【摘 要】
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SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所!陕西西安710071,西安电子科技大学微电子所!陕西西安710071,西安交通大学电子工程系!陕西西安710049
【出 处】
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西安电子科技大学学报
【发表日期】
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2000年03期
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