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采用了一种由P型衬底、N型沟道和P＋沟道截止组成的栅控二极管结构，并就影响该结构暗信号的载流子产生复合过程的相关因素进行了分析，讨论了温度、栽流子寿命和表面态密度等因素与暗信号的关系。经分析，可以通过降低功耗或采用制冷措施来改良器件。同时，如果用于制作的栅控二极管结构的材料，载流子寿命长，在一定程度上也可以降低栅控二极管结构的暗信号，提升栅控二极管的品质。