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我们首次用在中国返地卫星上生长的Si-GaAs单晶做衬底,成功地研制出室温CW工作的GaAs/AlGaAs质子轰击条形DH激光器,DH外延片是用LPE法生长的。激光器的最低阈电流20mA,激射波长857nm,输出功率可达30mW。
空间生长GaAs单晶做衬底的GaAs/AlGaAs DH激光器
【摘 要】
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我们首次用在中国返地卫星上生长的Si-GaAs单晶做衬底,成功地研制出室温CW工作的GaAs/AlGaAs质子轰击条形DH激光器,DH外延片是用LPE法生长的。激光器的最低阈电流20mA,激射波
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所北京,北京,北京
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1990年10期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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