【摘 要】
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用量子化学的密度泛函理论(DFT)在6-311G*水平上对硅烯及其取代物与甲烷的C-H键进行插入反应的势能面进行了系统地研究.用IRC方法对过渡态进行了验证.并用组态混合模型讨论了
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用量子化学的密度泛函理论(DFT)在6-311G*水平上对硅烯及其取代物与甲烷的C-H键进行插入反应的势能面进行了系统地研究.用IRC方法对过渡态进行了验证.并用组态混合模型讨论了反应势垒(△E≠)和反应热(△H)与SiXY的单-三态激发能△Est的关系.我们发现,硅烯SiXY的△Est是控制反应的主要因素,取代基的电负性越大,取代基越多,π电子给予越强,SiXY的△Est就越大,插入反应的活化能就越大,放热就越小.
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