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提出了一种新型低成本硅基过渡热沉，用以实现高达40Gb／s的高速光电子器件封装．采用高阻硅衬底作为热沉基底，制作出了0-40GHz范围内传输损耗小于0．165dB／mm的共面波导传输线．热沉中采用TazN薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配，达到了0-40GHz范围内低于-18dB的宽带低反射特性．和传统硅基平台相比，新型硅基热沉更具有制作工艺简单、导热性能良好等优点．为了证明其实用性，热沉被应用于高速电吸收调制器的管芯级封装测试，获得了超过33GHz的小信号调制带宽特性，在硅基热沉上首次实现可用于40G