硅中金的空穴俘获截面的研究

来源 :北京大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:mibaoaiai
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我们用电容瞬态技术研究了P型硅中金的空穴俘获截面与温度的关系。实验测得金的受主能级的空穴俘获截面对温度有强烈的依赖关系,即在150—200 K的温度范围内,σp-=(3.7±0.7)×10-15(300/T)2.9±0.3Cm2,在260—318K的范围内,施主能级的空穴俘获截面也与温度有关,在77—180K的温度范围内,
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