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在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同pH值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验，并用TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度。研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了GaAs抛光晶片的亚表面损伤层深度，并分析和讨论了其原因。
超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺
【摘 要】
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在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同pH值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验，并用TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度。研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年4期
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