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键合铜丝作为微电子工业的新型研发材料，已经成功替代键合金丝应用于IC后道封装中。随着IC封装键合工艺技术及设备的改进，铜丝应用从低端产品如DIP、SOP向中高端QFP、QFN、多层线、小间距焊盘产品领域扩展。因封装制程对键合铜丝的性能要求逐步提高，促进了铜丝生产商对铜丝工艺性能向趋近于金丝工艺性能发展，成为替代金丝封装的新型材料。本文首先讲述了铜丝键合的优点，列举了铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面：一是铜丝储存条件对环境要求高，使用过程保护措施不当易氧化；二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键