【摘 要】
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以MgO∶Ga2O3∶ZnO（2%∶2%∶96%,质量分数）陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了镁镓共掺氧化锌（MGZO）透明半导体薄膜。采用XRD、SEM、霍尔效应仪和分光光度
【机 构】
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中南民族大学电子信息工程学院,中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(11504436);中央高校基本科研业务费专项资金(CZP17002;CZW14019)
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以MgO∶Ga2O3∶ZnO（2%∶2%∶96%,质量分数）陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了镁镓共掺氧化锌（MGZO）透明半导体薄膜。采用XRD、SEM、霍尔效应仪和分光光度计对MGZO薄膜进行测试表征,研究了溅射压强对MGZO薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响。结果表明：所有MGZO薄膜均为六角纤锌矿结构并具有（002）择优取向生长特性,溅射压强对薄膜晶体结构和光电性能有明显影响,但几乎不影响其直接光学能隙（3.41～3.44eV）。当溅射压强为3.5Pa时,MGZO薄膜的结
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