【摘 要】
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立方氮化铝（c-AlN）以其优异的性能成为发光二极管、激光二极管等光电子器件的理想材料。采用激光分子束外延法制备了c-AlN/TiN/Si（100）异质结构,研究了它的显微组织和光学性能。
【机 构】
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广西大学资源环境与材料学院广西生态铝产业协同创新中心广西有色金属及特色材料加工重点实验室;
【基金项目】
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广西自然科学基金(2015GXNSFAA139265)
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立方氮化铝（c-AlN）以其优异的性能成为发光二极管、激光二极管等光电子器件的理想材料。采用激光分子束外延法制备了c-AlN/TiN/Si（100）异质结构,研究了它的显微组织和光学性能。结果表明:AlN薄膜和TiN缓冲层呈立方岩盐矿结构的（200）面择优取向;c-AlN薄膜、TiN缓冲层和Si衬底的界面清晰,不存在第二相,但错配应力使得界面处存在一定的缺陷;c-AlN薄膜的光致发光谱分别在376,520,750 nm处有3个发光中心;376 nm处的发光峰与氮空位（VN）和氧杂质（ON）有关,520 nm处的发光峰与Al空位(VAl)和ON的复合有关,而750 nm处的发光峰可归因于VAl和价带之间的辐射复合;c-AlN薄膜的电致发光中心在580 nm附近,也属于c-AlN的深能级缺陷发光。
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