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通过对电容套管介质损耗试验，能够有效地发现因电容套管制造工艺不良或末屏断裂而引起的内部局部放电缺陷，及早地避免因绝缘缺陷而引发的套管爆炸事故。介质损耗试验中通常会遇到电容量Cx及介质损耗值tanδ的异常变化，论文针对一起电容套管主绝缘介质损耗值异常变化而电容量变化不显著的问题进行分析，判断出是末屏小套管锈蚀引起的介质损耗测试数据异常，强调了对电容套管的末屏绝缘状况进行监测的重要性。