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报道了1．6μm的半导体激光器和电吸收调制器以及双波导模斑转换器的单片集成器件．该器件具有良好的单横模特性和准单纵模特性(边模抑制比达25．6dB)，3dB调制带宽为15GHz，直流消光比为16．2dB，远场发散角为7．3°×18．0°，和单模光纤的耦合效率达3．0dB．
半导体激光器电吸收调制器和双波导模斑转换器的单片集成
【摘 要】
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报道了1．6μm的半导体激光器和电吸收调制器以及双波导模斑转换器的单片集成器件．该器件具有良好的单横模特性和准单纵模特性(边模抑制比达25．6dB)，3dB调制带宽为15GHz，直流消光比
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年6期
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:90101023),,国家重点基础研究发展计划(批准号:200006831)资助项目~~
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