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无源RFID标签芯片的能量来自读写器发射的射频能量。针对符合ISO/IEC15693标准的无源高频(13.56 MHz)RFID标签芯片,对NMOS栅交叉连接整流电路结构进行了研究与设计,实现的NMOS栅交叉连接整流电路的能量转换效率为34.46%,并设计一种低成本、低功耗的芯片工作电源产生电路,设计工艺采用SMIC 0.35μm 2P3M CMOS EEPROM工艺。最后,给出了芯片的测试结果。测试结果显示:所设计的电源产生电路能够很好地工作在ISO15693标准定义的最小磁场Hmin(150 m