TiN栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件(英文)

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hudan913000

【摘要】

：

制备并研究了TiN栅薄膜全耗尽SOICMOS器件 ,并对其关键工艺进行了详细阐述 .相对于双多晶硅栅器件 ,在不改变阈值电压的前提下 ,可以减小nMOS和pMOS的沟道掺杂浓度 ,进而提高

【作者】

：

连军海潮和

【机构】

：

中国科学院微电子研究所; 中国科学院微电子研究所北京100029; 北京100029;

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

FDSOI CMOS 中间禁带功函数 TiN

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制备并研究了TiN栅薄膜全耗尽SOICMOS器件 ,并对其关键工艺进行了详细阐述 .相对于双多晶硅栅器件 ,在不改变阈值电压的前提下 ,可以减小nMOS和pMOS的沟道掺杂浓度 ,进而提高迁移率 .由于TiN的功函数处于中间禁带 ,在几乎相同的调整阈值注入剂量下 ,可以得到对称的阈值电压 .当顶层硅膜厚度减小时 ,可以改善短沟道效应

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