用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术

来源 :光电工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yhl_2011

【摘要】

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用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术.对这些掩模的基本原理、制作方

【作者】

：

冯伯儒张锦宗德蓉刘娟陈宝钦刘明

【机构】

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中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,中国科学院微电子中心

【出处】

：

光电工程

【发表日期】

：

2004年1期

【关键词】

：

激光光刻技术相移掩模准分子光刻无铬相移掩模交替相移掩模衰减相移掩模混合相移掩模 Laser lithography Phase-shifting m

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用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术.对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究.研究表明,无铬相位光刻(CPL)PSM和高透AttPSM 相结合构成的混合掩模最适合用于193nmArF光刻,以产生100nm节点抗蚀剂图形.

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